CMOS bq4013/Y/LY 是一款非易失性 1,048,576 位静态随机存取存储器（SRAM），组织形式为 131,072 字×8 位。集成控制电路和锂能源提供可靠的非易失性，同时具备标准 SRAM 无限次写入周期的特性。
控制电路持续监测单电源是否超出容差范围。当 VCC 超出容差时，SRAM 会无条件进行写保护，以防止意外写入操作。
此时，集成能源源会开启，以维持存储器，直到 VCC 恢复正常。
bq4013/Y/LY 使用极低待机电流的 CMOS SRAM，并搭配小型锂硬币电池，以在不产生长写入周期时间和与 EEPROM 相关的写入周期限制的情况下提供非易失性。
bq4013/Y/LY 无需外部电路，并且与行业标准的 1-Mb SRAM 引脚排列兼容。
当电源正常时，bq4013/Y/LY 作为标准 CMOS SRAM 运行。在电源关闭和开启周期中，bq4013/Y/LY 作为非易失性存储器，自动保护和保存存储器内容。
电源关闭/开启控制电路持续监测 VCC 电源，以检测电源故障检测阈值 VPFD。bq4013 在 5% 电源容差的 5-V 系统中监测典型值 VPFD = 4.62 V。bq4013Y 在 10% 电源容差的 5-V 系统中监测典型值 VPFD = 4.37 V。bq4013LY 在 3.3-V 系统中监测典型值 VPFD = 2.90 V。
当 VCC 降至 VPFD 阈值以下时，SRAM 会自动对数据进行写保护。所有输出变为高阻抗，所有输入被视为无关紧要。如果在检测到电源故障时正在进行有效访问，存储器周期将继续完成。如果存储器周期未能在时间 tWPT 内终止，则会进行写保护。
当 VCC 降至 VPFD 以下并接近 VSO 时，控制电路会切换到内部锂备用电源，该电源可在提供有效 VCC 之前保持数据。
当 VCC 恢复到内部备用电池电压以上时，电源会切换回 VCC。在 VCC 上升到 VPFD 阈值以上后，写保护会持续一段时间 tCER（5-V 系统中最大 120 ms，3.3-V 系统中最大 85 ms），以允许处理器稳定。此后可恢复正常存储器操作。
bq4013/Y/LY 使用的内部硬币电池具有极长的保质期，并且在系统电源缺失的情况下可提供超过 10 年的数据保留。
从德州仪器（TI）发货时，MT 型模块的集成锂电池与存储器电隔离（在此状态下的自放电率约为每年 0.5%）。在首次施加 VCC 后，这种隔离会被打破，锂备用电源会在后续电源关闭时提供数据保留。
