商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | nvSRAM(掉电保持) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动存储功能;低电压自动写保护 |
商品概述
DS1270 16M非易失性SRAM是16777216位全静态非易失性SRAM,组织结构为2097152字×8位。每片NV SRAM自带锂能源和控制电路,持续监测VCC是否出现超出容差的情况。当该情况发生时,锂能源会自动接通,无条件启用写保护以防止数据损坏。可执行的写周期数量没有限制,微处理器接口无需额外支持电路。
商品特性
- 无外部电源情况下数据保留时间最低5年
- 掉电期间数据自动保护
- 无限次写循环
- 低功耗CMOS工作
- 读写访问时间为70 ns
- 首次通电前锂能源电气断开以保持能源新鲜度
- DS1270Y支持全±10% VCC工作范围
- DS1270AB可选±5% VCC工作范围
- 可选工业温度范围为-40℃至+85℃,标记为IND


