M29W320DB70ZE6F
M29W320DB70ZE6F
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- M29W320DB70ZE6F
- 商品编号
- C19316324
- 商品封装
- TFBGA-48(6x8)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 存储容量 | 32Mbit | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 100uA | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 页写入时间(Tpp) | 10us | |
| 块擦除时间(tBE) | 800ms@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
M29W320D是一款32 Mbit（4Mb x 8或2Mb x 16）的非易失性存储器，可进行读取、擦除和重新编程操作。这些操作可通过单一低电压（2.7 ~ 3.6V）电源完成。上电时，存储器默认进入读取模式，其读取方式与ROM或EPROM相同。
该存储器被划分为多个可独立擦除的块，因此在擦除旧数据时可以保留有效数据。每个块可以独立保护，以防止意外的编程或擦除命令修改存储器内容。编程和擦除命令被写入存储器的命令接口。片上编程/擦除控制器通过处理更新存储器内容所需的所有特殊操作，简化了对存储器进行编程或擦除的过程。
商品特性
- 电源电压：编程、擦除和读取时VCC = 2.7V ~ 3.6V；快速编程（可选）时VPP = 12V
- 访问时间：70、80和90 ns
- 编程时间：每字节/字典型值为10 μs
- 67个存储块：1个引导块（顶部或底部位置）；2个参数块和64个主块
- 编程/擦除控制器：嵌入式字节/字编程算法；擦除暂停和恢复模式；擦除暂停期间可读取和编程另一个块
- 解锁旁路编程命令：更快的生产/批量编程
- VPP/WP引脚用于快速编程和写保护
- 临时块解锁保护模式
- 通用闪存接口：64位安全代码
- 低功耗：待机和自动待机
- 每个块100,000次编程/擦除循环
- 电子签名：制造商代码：0020h；顶部器件代码M29W320DT：22CAh；底部器件代码M29W320DB：22CBh
- 提供符合RoHS标准的封装
- 提供汽车级部件
- 封装类型：TSOP48 (N)，尺寸12×20mm；TFBGA48 (ZE)