NAND04GR3B2DN6E
4-Gbit和8-Gbit、2112字节/1056字页面、多平面架构、1.8V或3V、SLC NAND闪存
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- NAND04GR3B2DN6E
- 商品编号
- C19313281
- 商品封装
- TSOP-48
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 接口类型 | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 1.7V~1.95V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 200us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 1.5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 待机电流 | 10uA | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 坏块管理功能；硬件写保护功能；读缓存功能；ECC纠错功能；复制回写功能 |
商品特性
- 高密度NAND闪存
- 高达8 Gbit的存储阵列
- 适用于大容量存储应用的经济高效解决方案
- NAND接口：x8或x16总线宽度，复用地址/数据
- 电源电压：1.8 V或3 V器件
- x8器件页大小：(2048 + 64备用)字节
- x16器件页大小：(1024 + 32备用)字
- x8器件块大小：(128K + 4 K备用)字节
- x16器件块大小：(64K + 2K备用)字
- 多平面架构：阵列分为两个独立平面，可同时在两个平面上执行编程/擦除操作
- 页面读取/编程：随机访问最大25 μs，顺序访问最小25 ns
- 页面编程时间：典型值200 μs
- 多平面页面编程时间（2页）：典型值200 μs
- 带自动错误检测码（EDC）的回写编程
- 缓存读取模式
- 快速块擦除：块擦除时间典型值1.5 ms，多块擦除时间（2块）典型值1.5 ms
- 状态寄存器
- 电子签名
- 芯片使能“无关紧要”
- 符合ONFI 1.0的命令集
- 封装：TSOP48 12 x 20 mm (N)，ULGA52 12 x 17 x 0.65 mm (ZL)
- 安全特性：OTP区域，序列号（唯一ID），非易失性保护选项
- 数据保护：电源转换期间硬件编程/擦除禁用
- 数据完整性：100,000次编程/擦除循环（带ECC），10年数据保留
- 符合RoHS标准的封装