- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FM21LD16-60-BGTR
2-Mbit F-RAM 存储器
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- FM21LD16-60-BGTR
- 商品编号
- C19312539
- 商品封装
- FBGA-48(6x8)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
FM21LD16是一种128K×16的非易失性存储器，其读写方式与标准SRAM类似。铁电随机存取存储器（F - RAM）是非易失性的，这意味着断电后数据仍可保留。它能提供超过151年的数据保留时间，同时消除了电池备份SRAM（BBSRAM）的可靠性问题、功能劣势和系统设计复杂性。快速的写入时序和高写入耐久性使F - RAM优于其他类型的存储器。
FM21LD16的操作与其他RAM设备类似，因此它可以作为系统中标准SRAM的直接替代品。读写周期可以由CE触发，也可以通过更改地址触发。由于其独特的铁电存储工艺，F - RAM存储器是非易失性的。这些特性使FM21LD16非常适合需要频繁或快速写入的非易失性存储应用。
FM21LD16包含一个低压监测器，当VDD降至VDD最小值以下时，它会阻止对存储阵列的访问。在这种情况下，存储器可防止意外访问和数据损坏。该设备还具有软件控制的写保护功能。存储阵列被分为8个均匀的块，每个块都可以单独进行写保护。
该设备采用48球细间距球栅阵列（FBGA）封装。设备规格在工业温度范围 - 40°C至 + 85°C内得到保证。
商品特性
- 2兆比特铁电随机存取存储器（F - RAM），逻辑上组织为128K×16
- 可使用UB和LB配置为256K×8
- 高耐久性，100万亿（10^14）次读写
- 151年数据保留（参见数据保留和耐久性表）
- 无延迟写入
- 页面模式操作，周期时间可达30纳秒
- 先进的高可靠性铁电工艺
- 与SRAM兼容
- 行业标准的128K×16 SRAM引脚排列
- 60纳秒访问时间，110纳秒周期时间
- 软件可编程块写保护
- 优于电池备份SRAM模块
- 无需担心电池问题
- 单片可靠性
- 真正的表面贴装解决方案，无需返工步骤
- 防潮、防震和抗振性能优越
- 低功耗
- 工作电流8毫安（典型值）
- 待机电流90微安（典型值）
- 低电压操作：VDD = 2.7 V至3.6 V
- 工业温度范围： - 40°C至 + 85°C
- 48球细间距球栅阵列（FBGA）封装
- 引脚与FM22LD16（4兆比特）和FM23MLD16（8兆比特）兼容
- 符合有害物质限制（RoHS）标准