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IPD04N03LB G实物图
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IPD04N03LB G

IPD04N03LB G

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商品型号
IPD04N03LB G
商品编号
C19311130
商品封装
TO-252-3-11​
包装方式
编带
商品毛重
0.437克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)50A
导通电阻(RDS(on))6mΩ@4.5V,50A
耗散功率(Pd)115W
阈值电压(Vgs(th))2V@70uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)40nC@5V
输入电容(Ciss)5.2nF
反向传输电容(Crss)270pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.9nF

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购买数量

(2500个/圆盘,最小起订量 1 个)
起订量:1 个2500个/圆盘

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