M1022LC160

商品参数

参数完善中

对于结温（Tj）低于25°C的情况，该器件的阻断电压降额系数为每摄氏度0.13%。
Qra基于50%的Irm弦（如图(a)所示）。
Qtr基于150μs的积分时间。
K因子等于t1除以t2。
正向电压VF的表达式为VF = A + B × ln(IF) + C × IF + D × √IF ，其中IF为瞬时正向电流。
反向恢复电荷Qrr的计算公式为Qrr = ∫(从0到150μs) irr dt。
新的散热片温度TSINK的计算公式为TSINK = Tj(MAX) - E × [k + f × RthJK] ，其中k = 0.2314(°C / W) / s ，E为波形下的面积，f为原始散热片温度下的额定频率（Hz），Rth(J - Hs)为直流热阻(°C / W) 。
总功耗W(tot)的计算公式为W(tot) = W(original) + E × f 。
平均电流IAV的计算公式为IAV = (-VT0 + √(VT0 + 4 × ff² × rT × WAV)) / (2 × ff² × rT) ，其中VT0 = 1.24V，rT = 0.33mΩ，ff为波形因数（快速二极管应用中通常为1）。
平均功耗WAV的计算公式为WAV = ΔT / Rth ，其中ΔT = Tj(MAX) - Tk 。
正向电压VF也可通过ABCD系数计算，公式为VF = A + B × ln(IF) + C × IF + D × √IF 。