IRLML2502GTRPBF
IRLML2502GTRPBF
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRLML2502GTRPBF
- 商品编号
- C19301739
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 66pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 90pF |
商品概述
这些N沟道MOSFET采用先进的加工技术,以实现单位硅面积极低的导通电阻。这一优势,再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和坚固耐用的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可用于电池和负载管理。 标准SOT - 23封装中采用了热增强型大焊盘引线框架,从而生产出业界占位面积最小的HEXFET功率MOSFET。这种被称为Micro3的封装,非常适合印刷电路板空间有限的应用。Micro3的低外形(<1.1mm)使其能够轻松适配超薄应用环境,如便携式电子设备和PCMCIA卡。其热阻和功耗表现优异。
商品特性
- 超低导通电阻
- 低外形(<1.1mm)
- 快速开关
- 无铅
- 无卤素
应用领域
-电池和负载管理-便携式电子设备-PCMCIA卡
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