M95160-WMN6
16Kbit和8Kbit串行SPI总线EEPROM,带高速时钟
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M95160-WMN6
- 商品编号
- C19300505
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 0.194克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 16Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 10MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 40年 | |
| 写周期寿命 | 100万次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置上电复位(POR);软件写保护功能;硬件写保护功能;内置写使能锁存器(WEL) | |
| 工作电压 | 2.5V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 2mA | |
| 待机电流 | 10uA | |
| 读取访问时间(tA) | - |
商品概述
这是一款支持SPI总线串行接口(正时钟SPI模式)的存储产品,具有多种电源电压版本和不同工艺标识的高速性能,提供多种封装类型。
商品特性
- 兼容SPI总线串行接口(正时钟SPI模式)
- 单电源电压:M95xxx为4.5至5.5V,M95xxx-W为2.5至5.5V,M95xxx-R为1.8至5.5V
- 高速性能:工艺标识为L的产品时钟速率5MHz,写入时间10ms;工艺标识为W的新产品时钟速率10MHz,写入时间5ms
- 具备状态寄存器及硬件保护功能
- 支持字节和页写入(最多32字节)
- 自定时编程周期
- 可调大小的只读EEPROM区域
- 增强型ESD保护
- 超过100万次擦写循环
- 超过40年数据保留
- 提供多种封装类型:PDIP8(BN)、SO8(MN)(150mil宽度)、TSSOP8(DS)(3×3mm尺寸)、TSSOP8(DW)(169mil宽度)
- 包含串行数据输出(Q)、串行数据输入(D)、串行时钟(C)、芯片选择(S)、保持(HOLD)、写保护(W)等信号
- 支持上电、掉电、主动和待机电源模式及保持条件
- 状态寄存器包含WIP、WEL、BP1、BP0、SRWD位
- GTC06F28-12SW-025-LC
- NDS02ZG-M6
- 1812YA250471KJRSYX
- D38999/24JF18PN-LC
- ERD-S1TJ431V
- FKN500FR-73-0R15
- GRM188R71H681KA01J
- PT6522L
- TV06RW-25-43PB-LC
- TVP00RQF-25-17PC-453-LC
- 0218.080MXE
- 68705-420HLF
- GRM1555C1H1R8WZ01D
- GRM1556R1H1R5CZ01D
- MK1822FE-R52
- 79425-134HLF
- LHL10TB100K
- CDR31BP330BFWPAJ
- W2899MC480
- 68705-114HLF
- D38999/26SF32AC


