W25Q80BW（8M位）串行闪存为空间、引脚和电源受限的系统提供了存储解决方案。25Q系列提供的灵活性和性能远超普通串行闪存设备。它们非常适合将代码映射到RAM、通过双/四SPI直接执行代码（XIP）以及存储语音、文本和数据。该设备采用1.65V至1.95V单电源供电，工作电流低至4mA，掉电电流低至1μA。所有设备均采用节省空间的封装。

W25Q80BW阵列由4096个可编程页面组成，每个页面256字节。一次最多可编程256字节。页面可以按16个一组（4KB扇区擦除）、128个一组（32KB块擦除）、256个一组（64KB块擦除）或整个芯片（芯片擦除）进行擦除。W25Q80BW分别有256个可擦除扇区和16个可擦除块。小的4KB扇区为需要数据和参数存储的应用提供了更大的灵活性。

W25Q80BW支持标准串行外设接口（SPI），以及高性能双/四输出和双/四I/O SPI：串行时钟、片选、串行数据I/O0（DI）、I/O1（DO）、I/O2（/WP）和I/O3（/HOLD）。支持高达80MHz的SPI时钟频率，使用快速读取双/四I/O指令时，双I/O等效时钟速率可达160MHz（80MHz×2），四I/O等效时钟速率可达320MHz（80MHz×4）。这些传输速率可以超过标准的异步8位和16位并行闪存。连续读取模式允许以低至8个时钟的指令开销高效访问内存来读取24位地址，从而实现真正的XIP（原地执行）操作。

保持引脚、写保护引脚和可编程写保护，以及顶部、底部或互补阵列控制，提供了进一步的控制灵活性。此外，该设备支持JEDEC标准的制造商和设备识别，具有64位唯一序列号。

	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	8Mbit
	时钟频率(fc)	80MHz
	工作电压	1.65V~1.95V
	待机电流	20uA
	擦写寿命	100000次

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	-
	块擦除时间(tBE)	-
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+85℃
	功能特性	-

W25Q80BWSVIG TR

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