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DS1220Y-100IND+

16k非易失性SRAM

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品牌名称: ADI(亚德诺)/MAXIM(美信)
商品型号: DS1220Y-100IND+
商品编号: C19297004
商品封装: EDIP-24
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	nvSRAM(掉电保持)

	属性	参数值
	功能特性	自动存储功能；低电压自动写保护

商品概述

DS1220Y 16k 非易失性 SRAM 是一款 16384 位、完全静态的非易失性 RAM，组织形式为 2048 字×8 位。每个 NV SRAM 都有一个独立的锂能源和控制电路，可持续监测 VCC 是否超出容差范围。当出现这种情况时，锂能源会自动开启，并且无条件启用写保护，以防止数据损坏。NV SRAM 可以直接替代现有的 2k×8 SRAM，完全符合流行的 24 引脚 DIP 标准。DS1220Y 还与 2716 EPROM 或 2816 EEPROM 的引脚排列相匹配，在提高性能的同时允许直接替换。执行的写周期次数没有限制，并且微处理器接口不需要额外的支持电路。

商品特性

无外部电源时，数据至少可保留 10 年
掉电时数据自动保护
可直接替代 2k×8 易失性静态 RAM 或 EEPROM
写入周期无限制
低功耗 CMOS
JEDEC 标准 24 引脚 DIP 封装
读写访问时间为 100 ns
全 ±10% 工作范围
可选工业温度范围 -40°C ~ +85°C，标记为 IND

数据手册PDF

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