M48Z128-70PM1

5.0 V, 1 Mbit ZEROPOWER SRAM

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品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M48Z128-70PM1
商品编号: C19295982
商品封装: DIP-32
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

M48Z128/Y ZEROPOWER RAM是一款128 Kbit×8的非易失性静态RAM，组织形式为131072字×8位。该器件将内部锂电池、CMOS SRAM和控制电路集成在一个32引脚塑料DIP模块中，提供高度集成的电池备份存储解决方案。M48Z128/Y与任何JEDEC标准128 K×8 SRAM引脚和功能等效，还可适配许多ROM、EPROM和EEPROM插槽，提供PROM的非易失性，且无需特殊写入时序或写入次数限制。32引脚600 mil DIP模块在单个封装中容纳M48Z128/Y芯片和长寿命锂纽扣电池。

商品特性

集成超低功耗SRAM、掉电控制电路和电池
常规SRAM操作，支持无限次写入周期
断电时数据可保留10年
电池在首次供电前内部隔离
自动掉电芯片取消选择和写入保护
M48Z128：Vcc=4.75至5.5V；4.5V≤VPFD≤4.75V
M48Z128Y：Vcc=4.5至5.5V；4.2V≤VPFD≤4.5V
与JEDEC标准128 K×8 SRAM引脚和功能兼容
RoHS合规（无铅二级互连）
采用PMDIP32模块
具备掉电检测电路，持续监控Vcc电源是否超出公差范围；当Vcc超出公差时，电路会对SRAM进行写入保护，在Vcc过低导致系统操作不可预测时提供高度数据安全性；当Vcc低于切换电压（VSO）时，控制电路连接电池，维持数据直到有效电源恢复

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	静态随机存取存储器(SRAM)
	接口类型	并口(Parallel)
	存储容量	1Mbit
	工作电压	4.75V~5.5V
	读写时间	70ns

	属性	参数值
	工作温度	0℃~+70℃
	工作电流	105mA
	待机电流	4mA
	功能特性	自动掉电功能；内置写抑制功能