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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FOD3150TS

高抗噪性1.0A输出电流栅极驱动光耦

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FOD3150TS
商品编号
C19292868
商品封装
SMD-8P​
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录逻辑输出光耦
输入类型DC
工作电压15V~30V
隔离电压(Vrms)5kV
CMTI(kV/us)50kV/us
传输速率-
CTR-电流传输比-
通道数-
工作温度-40℃~+100℃
传播延迟 tpLH500ns
属性参数值
传播延迟 tpHL500ns
输入阈值电流(FH)5mA
输出电流1A
耗散功率(Pd)-
输出电压-
正向压降(Vf)1.5V
直流反向耐压(Vr)5V
正向电流(If)25mA
功能特性欠压锁定

商品概述

FOD3150是一款输出电流为1.0A的栅极驱动光耦合器,能够驱动大多数800V / 20A的IGBT/MOSFET。它非常适合用于电机控制逆变器应用和高性能电力系统中功率IGBT和MOSFET的快速开关驱动。 它采用安森美半导体专利的共面封装技术Optoplanar®和优化的IC设计,以实现高抗噪性,其特点是具有高共模抑制比。 它由一个砷化镓铝(AlGaAs)发光二极管和一个带有推挽MOSFET输出级高速驱动器的集成电路光耦合而成。

商品特性

  • 以最小20kV/μs的共模抑制比为特征的高抗噪性
  • 输出级使用P沟道MOSFET,使输出电压摆幅接近电源轨
  • 宽电源电压范围从15V到30V
  • 快速开关速度
    • 最大传播延迟500ns
    • 最大脉冲宽度失真300ns
  • 带迟滞的欠压锁定(UVLO)
  • 扩展的工业温度范围,-40°C到100°C
  • 安全和法规认证
    • UL1577,5000VRMS持续1分钟
    • DIN EN/IEC60747 - 5 - 5
  • 大于8.0mm的电气间隙和爬电距离(选项'T')
  • 这是一款无铅器件

应用领域

  • 工业逆变器
  • 不间断电源
  • 感应加热
  • 隔离式IGBT/功率MOSFET栅极驱动

数据手册PDF