M58LW064D110N6

64 Mbit 3V 供电闪存存储器

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品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M58LW064D110N6
商品编号: C19289684
商品封装: TSOP-56
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

M58LW064D是一款64 Mbit（8Mb x 8或4Mb x 16）的非易失性存储器，可进行读取、擦除和重新编程操作。这些操作可通过单一低电压（2.7V至3.6V）核心电源完成。

该存储器被划分为64个1Mbit的块，这些块可以独立擦除，因此在擦除旧数据时能够保留有效数据。编程和擦除命令被写入存储器的命令接口。片上编程/擦除控制器通过处理更新存储器内容所需的所有特殊操作，简化了对存储器进行编程或擦除的过程。可以检测编程或擦除操作的结束，并在状态寄存器中识别任何错误条件。控制该存储器所需的命令集是...

商品特性

具备用于高带宽的宽x8或x16数据总线
电源电压：编程、擦除和读取操作时，VDD = VDDQ = 2.7至3.6V
访问时间：随机读取110ns，页模式读取110/25ns
编程时间：16字写缓冲区，字有效编程时间为12μs
64个统一的64 KWord/128KByte内存块
增强的安全性：块保护/解除保护，用于编程擦除使能的VPEN信号，一次性可编程（OTP）区域内带有64位唯一代码的128位保护寄存器
编程和擦除暂停功能
通用闪存接口
每个块具有100,000次编程/擦除周期
电子签名：制造商代码为0020h，设备代码M58LW064D为0017h
封装：符合无铅焊接工艺，有无铅版本

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	存储容量	64Mbit
	时钟频率(fc)	33MHz
	工作电压	2.7V~3.6V

	属性	参数值
	待机电流	40uA
	擦写寿命	100000次
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-40℃~+85℃