MWT-773
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - |
商品概述
MwT-7是一款砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)器件,其标称栅长为0.25微米,栅宽为250微米,非常适合在500 MHz至26 GHz频率范围内需要高增益和中功率的应用。MwT-7的直线结构使其在宽带(如6至18 GHz)或窄带应用中同样有效。保证低相位噪声的工艺使MwT-7特别适用于振荡器应用。该芯片采用MwT可靠的金属系统制造,并且对每个晶圆上的器件进行筛选以确保可靠性。所有芯片均采用MwT获得专利的“类金刚石碳”工艺进行钝化处理,以提高耐用性。设计人员可利用MwT独特的BIN选择功能,从窄Idss范围中选择器件,确保电路运行的一致性。
商品特性
- 在12 GHz时输出功率为+20 dBm
- 非常适合宽带增益或振荡器应用
- 0.3微米难熔金属/金栅极
- 250微米栅宽
- 可选择芯片和两种封装类型