M24512-DRMB6TG
512Kbit串行I2C总线EEPROM,带三条片选线
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M24512-DRMB6TG
- 商品编号
- C19281863
- 商品封装
- UFDFPN-8(2x3)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 512Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 1MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 40年 | |
| 写周期寿命 | 100万次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置上电复位(POR);噪声抑制功能;硬件写保护功能;内置错误纠正码(ECC)功能 | |
| 工作电压 | 1.8V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 5mA | |
| 待机电流 | 5uA | |
| 读取访问时间(tA) | 900ns |
商品概述
M24512-x系列器件是兼容I²C的电可擦可编程存储器(EEPROM),组织形式为64Kb×8位。M24512-D还提供一个额外的标识页(128字节),可写入并在之后永久锁定为只读模式,该标识页可存储标识参数和/或生产线特定参数。该器件在I²C协议中作为从设备,所有存储器操作由串行时钟同步。读写操作由总线主设备生成的起始条件启动,随后是设备选择码和读写位(RW),并以确认位结束。写入数据时,器件在总线主设备8位传输后的第9位时间插入确认位;读取数据时,总线主设备以相同方式确认数据字节的接收。数据传输在写入操作的确认后或读取操作的非确认后由停止条件终止。
商品特性
- 兼容所有I²C总线模式:1 MHz快速模式增强版、400 kHz快速模式、100 kHz标准模式
- 存储阵列:512 Kb(64 K字节)EEPROM,页大小128字节
- M24512-DR:额外的可写锁定页(标识页)
- 噪声抑制:施密特触发器输入、输入噪声滤波器
- 写入特性:字节写入时间≤5 ms,页写入时间≤5 ms
- 支持随机和顺序读取模式
- 整个存储阵列的写保护
- 单电源电压:1.8V至5.5V、2.5V至5.5V
- 增强型ESD/闩锁保护
- 超过100万次写入周期
- 超过40年数据保留期
- 封装:ECOPACK2(符合RoHS和无卤素)、SO8(MW)208 mil宽度、SO8(MN)150 mil宽度、TSSOP8(DW)、UFDFPN8(MB)2×3 mm(MLP)、WLCSP(CS)
应用领域
- 标识页可用于存储标识参数和/或生产线特定参数
- 适用于需要电可擦除存储的电子设备场景(基于存储特性推导的通用应用)
- 生产线中用于存储设备或产品的标识信息
- 需要长期数据保留的应用场景
- 低功耗、宽电压范围的嵌入式系统存储需求场景
- 支持I²C总线的消费电子、工业控制等设备中的数据存储需求
- 对ESD保护有较高要求的电子设备存储应用
- 需要频繁写入操作的设备存储场景(基于百万次写入周期特性)
- 小型化封装需求的设备存储应用(如UFDFPN8、WLCSP封装)
- 符合RoHS和无卤素要求的环保电子设备存储需求
- 支持多种I²C总线速度的设备存储场景(从100 kHz到1 MHz)
- 需要写保护功能的存储应用(防止误写入)
- 支持随机和顺序读取的灵活数据访问场景
- 噪声环境下的稳定数据存储应用(基于噪声抑制特性)
- 单电源供电的便携设备存储需求场景(如1.8V至5.5V宽电压支持)
- 标识页可用于产品溯源、设备认证等场景
- 生产线批量编程和标识存储的应用场景
- 长期数据保存的工业设备存储需求(如40年数据保留)
- 小型化、高密度的存储应用(如WLCSP封装)
- 符合环保要求的电子设备存储解决方案(ECOPACK2封装)
- 支持多种封装形式的灵活设计应用场景
- 需要快速写入操作的设备存储需求(如≤5 ms的写入时间)
- 嵌入式系统中的非易失性存储应用
- 消费电子中的配置数据、用户数据存储需求
- 工业控制中的参数存储、状态记录需求
- 医疗设备中的数据存储需求(基于稳定性和长期保留特性)
- 汽车电子中的非易失性存储应用(假设符合相关标准,基于宽电压和稳定性)
- 物联网设备中的数据存储需求(低功耗、长期保留)
- 智能家居设备中的配置和状态存储需求
- 可穿戴设备中的数据存储需求(小型化封装、低功耗)
- 通信设备中的参数存储需求(基于I²C总线兼容性)
- 计算机外设中的数据存储需求(如打印机、扫描仪)


