DS1220Y-150+
16k非易失性SRAM
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- 商品型号
- DS1220Y-150+
- 商品编号
- C19280634
- 商品封装
- EDIP-24
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
DS1220Y 16k 非易失性 SRAM 是一款 16384 位、完全静态的非易失性 RAM，组织形式为 2048 字×8 位。每个非易失性 SRAM 都有一个独立的锂能源和控制电路，该电路持续监测 VCC 是否超出容差范围。当出现这种情况时，锂能源会自动开启，并且无条件启用写保护以防止数据损坏。该非易失性 SRAM 可以直接替代现有的 2k×8 SRAM，完全符合流行的 24 引脚 DIP 标准。DS1220Y 还与 2716 EPROM 或 2816 EEPROM 的引脚排列相匹配，允许直接替换并提升性能。写周期次数没有限制，并且微处理器接口不需要额外的支持电路。
商品特性
- 无外部电源时，数据至少可保留 10 年
- 掉电时数据自动保护
- 可直接替代 2k×8 易失性静态 RAM 或 EEPROM
- 无限次写周期
- 低功耗 CMOS
- JEDEC 标准 24 引脚 DIP 封装
- 读写访问时间最快可达 100 ns
- 全 ±10% 工作范围
- 可选工业温度范围 -40°C ~ +85°C，标记为 IND