- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NAND08GW3F2AN6E
8Gbit、16Gbit、4224字节页、3V供电、多平面架构SLC NAND闪存
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- NAND08GW3F2AN6E
- 商品编号
- C19279393
- 商品封装
- TSOP-48
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 接口类型 | Parallel | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 25ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 1.5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件复位功能；坏块管理功能；硬件写保护功能；读缓存功能；电源锁定保护功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；复制回写功能 |
商品特性
- 高密度SLC NAND闪存
- 8、16 Gbit内存阵列
- 适用于大容量存储应用的高性价比解决方案
- 8位总线宽度
- 复用地址/数据
- 电源电压：VDD = 2.7至3.6 V
- 页面大小：(4096 + 128备用)字节
- 块大小：(256K + 8K备用)字节
- 多平面架构
- 阵列分为两个独立平面
- 所有操作可在两个平面上同时执行
- 页面读取/编程
- 随机访问：25 μs（最大）
- 顺序访问：25 ns（最小）
- 页面编程操作时间：500 μs（典型）
- 多平面编程时间（2页）：500~μs（典型）
- 回写编程
- 无延迟时间的自动块下载
- 快速块擦除
- 块擦除时间：1.5 ms（典型）
- 多平面块擦除时间（2块）：1.5 ms（典型）
- 状态寄存器
- 电子签名
- 芯片使能“无关紧要”
- TSOP48 12×20 mm（N）
- 数据保护
- 电源转换期间硬件编程/擦除锁定
- 安全特性
- 一次性可编程区域
- 序列号（唯一ID）
- 开发工具
- 纠错码模型
- 坏块管理和损耗均衡算法
- 硬件仿真模型
- 数据完整性
- 100,000次编程/擦除周期（带ECC）
- 10年数据保留
- 符合RoHS标准的封装
- PT6913N
- 1812YA250471JSRUYS
- 78511-104HLF
- AT25256A-10CI-1.8
- 2211YA250221JGTUYX
- 77063332
- HLMP-EL3A-VWLDD
- TCS3771-DB
- PTV142B40E120AB203
- 031-70253
- 71998-303LF
- MHP-25PTA52-330R
- SSL-LXA227GD-5V
- NKN5WSFR-73-3R3
- SQM48S20010-PS0P
- 10143922-104KLF
- 1812JA250101MSTSYX
- 1812JA250272JJRUYX
- 64991-G50-4LF
- TVS06RF-11-99HC-LC
- 1808JA250120KGRUYS