IRS20124STRPBF

IRS20124是一款高压、高速功率MOSFET驱动器，具备内部死区时间和关断功能，专为D类音频放大器应用而设计。 内部死区时间生成模块可提供精确的栅极开关时序，并支持严格的死区时间设置，以实现更好的总谐波失真（THD）性能。 为了最大限度地提升其他音频性能特性，所有开关时间的设计都具备抗外部干扰的能力，例如VCC扰动和DT引脚上的输入开关噪声。逻辑输入与低功耗肖特基TTL（LSTTL）输出或低至3.0 V的标准CMOS兼容，且不会降低速度。输出驱动器采用大电流缓冲器，灌电流能力为1.2 A，拉电流能力为1.0 A。内部延迟经过优化，可实现最小的死区时间变化。专利的高压集成电路（HVIC）和抗闩锁CMOS技术确保在VS = -4 V时仍能正常工作，凭借坚固的单片结构，具备出色的抗闩锁和浪涌能力。

• 200 V高压额定值，可在D类音频放大器应用中提供高达1000 W的输出功率
• 集成死区时间生成和双向过流检测功能，简化设计
• 可编程补偿预设死区时间，可在不同温度下改善THD性能
• 高抗噪能力
• 关断功能可保护器件免受过载影响
• 工作频率高达1 MHz
• 3.3 V/5 V逻辑兼容输入
• 符合RoHS标准