M48Z02-200PC1
5V, 16 Kbit (2Kb x 8) ZEROPOWER SRAM
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- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M48Z02-200PC1
- 商品编号
- C19277661
- 商品封装
- PCDIP-24
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 静态随机存取存储器(SRAM) | |
| 接口类型 | 并口(Parallel) | |
| 存储容量 | 16Kbit | |
| 工作电压 | 4.75V~5.5V | |
| 读写时间 | 200ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 工作电流 | 80mA | |
| 待机电流 | 3mA | |
| 功能特性 | 自动掉电功能;内置写抑制功能 |
商品概述
M48Z02/12 ZEROPOWER RAM是一款2K×8非易失性静态RAM,引脚和功能与DS1220兼容。它采用特殊的24引脚、600mil DIP CAPHAT封装,内置长寿命锂纽扣电池,构成集成式电池备份存储解决方案。纽扣电池在无电源情况下,可在商业工作温度范围内累计维持数据功能至少10年。该产品是非易失性的,引脚和功能与任何JEDEC标准2K×8 SRAM等效,可适配多种ROM、EPROM和EEPROM插槽,提供PROM的非易失性,且无需特殊写入时序或受写入次数限制。
商品特性
- 集成超低功耗SRAM和掉电控制电路
- 无写入周期限制
- 读取周期时间与写入周期时间相等
- 自动掉电芯片取消选择和写入保护
- 写入保护电压(VPFD)规格:M48Z02的Vcc为4.75至5.5V,VPFD范围4.5V至4.75V;M48Z12的Vcc为4.5至5.5V,VPFD范围4.2V至4.5V
- CAPHAT DIP封装内置独立电池
- 引脚和功能与JEDEC标准2K×8 SRAM兼容
- 具备掉电检测电路,监控5V电源公差;Vcc超差时写入保护SRAM确保数据安全,Vcc降至约3V以下时连接电池维持数据至电源恢复
应用领域
- 适用于需要非易失性存储解决方案的系统
- 兼容标准2K×8 SRAM、ROM、EPROM和EEPROM插槽
- 用于需长时间无电源数据保留的应用场景


