IS39LV512-70JCE

IS39LV040/010/512 是 4 Mbit / 1 Mbit / 512 Kbit 仅支持 3.0 伏的闪存。这些器件设计为使用单一低电压（范围从 2.70 伏到 3.60 伏）电源来执行读取、擦除和编程操作，无需用于编程和擦除操作的 12.0 伏 V_PP 电源，也可在标准 EPROM 编程器中进行编程。 IS39LV512 的存储阵列被划分为统一的 4 Kbyte 扇区，用于数据或代码存储。IS39LV010/040 的存储阵列被划分为统一的 4 Kbyte 扇区或统一的 64 Kbyte 块（扇区组，由十六个相邻扇区组成）。扇区或块擦除功能允许用户通过一次擦除操作灵活地擦除小至 4 Kbyte 或大至 64 Kbyte 的存储区域，而不影响其他区域的数据。芯片擦除功能允许通过一次擦除操作擦除整个存储阵列。在执行擦除操作后，器件可以逐字节进行编程。 这些器件具有标准的微处理器接口以及 JEDEC 标准引脚排列/命令集。编程操作通过向命令寄存器发出编程命令代码来执行，内部控制逻辑自动处理编程电压上升和时序。擦除操作通过向命令寄存器发出芯片擦除、块或扇区擦除命令代码来执行，内部控制逻辑自动处理擦除电压上升和时序。在擦除操作之前，无需对未编程的阵列进行预编程。这些器件提供数据#轮询和翻转位功能，通过读取 I/O7 上的数据#轮询或 I/O6 上的翻转位，可以检测编程和擦除操作的进度或完成情况。 IS39LV040/010/512 采用 pFLASH 的先进非易失性 CMOS 技术制造，提供 32 引脚 VSOP 和 PLCC 封装，访问时间为 70 ns。

• 单电源供电
• 低电压范围：2.70 V - 3.60 V
• 存储组织
• IS39LV040：512K x 8（4 Mbit）
• IS39LV010：128K x 8（1 Mbit）
• IS39LV512：64K x 8（512 Kbit）
• 高性能读取
• 70 ns 访问时间
• 经济高效的扇区/块架构
• 统一的 4 Kbyte 扇区
• 统一的 64 Kbyte 块（扇区组 - IS39LV512 除外）
• 数据#轮询和翻转位功能
• 硬件数据保护
• 自动擦除和字节编程
• 内置自动编程验证
• 典型 16 μs/字节编程时间
• 典型 55 ms 扇区/块/芯片擦除时间
• 低功耗
• 典型 4 mA 读取电流
• 典型 8 mA 编程/擦除电流
• 典型 0.1 μA CMOS 待机电流
• 高产品耐久性
• 每个单扇区 100,000 次编程/擦除循环
• 至少 20 年数据保留
• 工业标准引脚排列和封装
• 32 引脚（8 mm x 14 mm）VSOP
• 32 引脚 PLCC
• 可选无铅（Pb-free）封装
• 工作温度范围
• IS39LV040/010/512 0°C ~ +85°C