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HYG043N10NS2B
N沟道 耐压:100V 电流:164A
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- 描述
- MOSFET
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG043N10NS2B
- 商品编号
- C19268964
- 商品封装
- TO-263-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.11975克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 164A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 258.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6.236nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 196pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.234nF |
商品特性
- 100V/164A
- 导通电阻RDS(ON) = 3.5 mΩ（典型值），栅源电压VGS = 10 V时
- 100%雪崩测试
- 100%动态电压应力测试
- 可靠且耐用
- 提供无卤和环保型器件（符合RoHS标准）
应用领域
-电池管理系统-控制器