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HYG025N04NR1D
N沟道 耐压:40V 电流:157A
- 描述
- MOSFET
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG025N04NR1D
- 商品编号
- C19268962
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.5396克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 157A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 107nC@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.31nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 696pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 804pF |
商品概述
JMT N沟道增强型功率MOSFET
商品特性
- 60V、30A
- 在VGS = 10 V时，RDS(ON) < 29 mΩ
- 在VGS = 4.5 V时，RDS(ON) < 40 mΩ
- 先进的沟槽技术
- 具备出色的RDS(ON)和低栅极电荷
- 产品无铅
应用领域
- 负载开关-PWM应用-电源管理
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