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IRF3710PBF-HXY实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF3710PBF-HXY

1个N沟道 耐压:100V 电流:60A

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描述
这款N沟道消费级MOSFET采用TO-220封装,专为处理100V高电压、大电流应用设计。额定连续电流高达60A,适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统,具备低导通电阻和高效散热能力,是现代电子设备实现高功率密度与能效控制的理想半导体组件。
商品型号
IRF3710PBF-HXY
商品编号
C19267790
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
2.719192克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)60A
导通电阻(RDS(on))14mΩ@10V
耗散功率(Pd)160W
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)60nC@10V
输入电容(Ciss)2.78nF
反向传输电容(Crss)35pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)400pF

商品特性

  • 低导通电阻
  • N沟道MOSFET
  • 低输入电容
  • 快速开关速度
  • ESD保护

应用领域

  • DC-DC转换器
  • 电源管理功能
  • 电池供电系统和固态继电器
  • 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等

数据手册PDF