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IRF3710PBF-HXY
1个N沟道 耐压:100V 电流:60A
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- 描述
- 这款N沟道消费级MOSFET采用TO-220封装，专为处理100V高电压、大电流应用设计。额定连续电流高达60A，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具备低导通电阻和高效散热能力，是现代电子设备实现高功率密度与能效控制的理想半导体组件。
- 商品型号
- IRF3710PBF-HXY
- 商品编号
- C19267790
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.719192克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 14mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 160W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.78nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 400pF |
商品特性
- 漏源电压VDS = 100 V,漏极电流ID = 60 A
- 当栅源电压VGS = 10 V时,导通电阻RDS(ON) < 17 mΩ
应用领域
- 高效开关模式电源
- 功率因数校正
- 电子灯镇流器