商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 连续漏极电流(Id) | 450mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.25Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
CJL2311采用先进的沟槽技术,可提供出色的 RDS(on) 和低栅极电荷。互补MOSFET构成高速功率逆变器,适用于多种应用。
商品特性
- 导通电阻:RDS(on) = 1.25Ω@VGS = -4.5V
- 驱动电压:-2.5V
- 环保特性:符合欧盟RoHS标准,无铅
应用领域
- 开关应用


