商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 300mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.3Ω@1.8V,10mA | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 340pC@6V | |
| 输入电容(Ciss) | 18pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 3pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 5pF |
商品特性
- 导通电阻：栅源电压VGS = 4.5 V时，漏源导通电阻RDS(on) = 1.3 Ω
- 驱动电压：1.8V
- 环保特性：符合欧盟RoHS标准，无铅
应用领域
- 开关应用