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商品参数
参数完善中
商品概述
UM2362是一款低阈值N沟道MOSFET，具有低导通电阻、高可靠性和稳定性，以及快速开关能力和高饱和电流。这些优势为设计人员提供了一款极其高效的器件，适用于电池和负载管理应用。该器件采用节省空间的小外形SOT23 - 3或SOT323封装。
商品特性
- 20A、650V,在VGS = 10V/10A条件下,RDS(ON)最大值 = 0.50Ω
- 低栅极电荷
- 低输入电容Ciss
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
应用领域
- 电池组-电池供电的便携式设备-移动电话和无绳电话
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