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AGMH605C
停产 1个N沟道 耐压:68V 电流:105A
- 品牌名称
- AGM-Semi(芯控源)
- 商品型号
- AGMH605C
- 商品编号
- C19193076
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.824克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 68V | |
| 连续漏极电流(Id) | 105A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@10V,20A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 114W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 26nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 1.79nF@30V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
AGMH605C将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合,可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 先进的高单元密度沟槽技术
- 低RDS(ON),可最大程度降低传导损耗
- 低栅极电荷,实现快速开关
- 低热阻
- 100%雪崩测试
- 100% DVDS测试
应用领域
- 电子镇流器
- 电子变压器
- 开关模式电源