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U3115C
功率MOSFET/IGBT半桥驱动器
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- 描述
- U3115C/U3116C可在高达+350V的电压下完全运行，是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通
- 品牌名称
- UNI-SEMIC(宇力半导体)
- 商品型号
- U3115C
- 商品编号
- C19193019
- 商品封装
- SOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 驱动通道数 | 2 | |
| 灌电流(IOL) | 1A | |
| 拉电流(IOH) | 1.2A | |
| 工作电压 | 4.5V~20V | |
| 上升时间(tr) | 50ns | |
| 下降时间(tf) | 25ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 450ns | |
| 传播延迟 tpHL | 150ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 输入高电平(VIH) | - | |
| 输入低电平(VIL) | - | |
| 静态电流(Iq) | 70uA | |
| 功能特性 | 内置自举二极管；交错导通保护；死区时间控制 |
商品概述
U3115C是一款完全工作电压达+350V的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高侧和低侧参考输出通道。其逻辑输入兼容标准CMOS或LSTTL输出，最低可至3.3V逻辑电平。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级设计，旨在最小化驱动器的交叉导通。浮动通道可用于驱动高侧配置中的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压最高可达350V。
商品特性
- 集成自举二极管
- 专为自举操作设计的浮动通道
- 完全工作电压达+350V
- 耐受负瞬态电压，对dV/dt噪声免疫
- 栅极驱动电源电压范围从5V至20V
- 欠压锁定
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- 交叉导通预防逻辑
- 双通道匹配的传播延迟
应用领域
- 家用电器
- 工业应用与驱动
- 电机驱动器
- DC-AC转换器
- 暖通空调