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SI7852DP-VB
1个N沟道 耐压:80V
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N型沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于电源管理模块、电动车电池管理模块、工业自动化控制模块等领域。DFN8(5X6)；N—Channel沟道,80V；60A；RDS(ON)=4.8mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1.2~2.8V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- SI7852DP-VB
- 商品编号
- C19190288
- 商品封装
- QFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.4mΩ@4.5V,60A | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 57nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 93pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.1nF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 初级侧开关-同步整流-直流/交流逆变器-LED背光