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商品参数
参数完善中
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-双N沟道MOSFET-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-具有ESD保护的栅极-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-符合AEC-Q101高可靠性标准
应用领域
- 功率开关应用
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- 不间断电源（UPS）
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