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商品参数
参数完善中
商品概述
这些N沟道增强型功率MOSFET采用先进的沟槽工艺技术设计，具有出色的导通电阻（Rdson）和低栅极电荷，符合RoHS标准。
商品特性
- 低导通电阻
- 低栅极电荷
- 高雪崩电流
- 快速开关
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
- 100% ΔVDS测试
应用领域
- 功率开关应用
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- 不间断电源（UPS）
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