温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
参数完善中
商品概述
这些N沟道增强型功率MOSFET采用先进的沟槽工艺技术设计，具有出色的导通电阻（Rdson）和低栅极电荷，符合RoHS标准。
商品特性
-双N沟道MOSFET-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-具有ESD保护的栅极-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-符合AEC-Q101高可靠性标准
应用领域
- 功率开关应用
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- 不间断电源（UPS）
其他推荐
- ESQ-108-12-T-S
- ESQ-118-12-T-D
- W41080
- W41081
- W41094
- W41099
- W41100
- W41101
- W41104
- W41105
- HX MICRO SIM 7P H1.35
- HX MICRO SIM 8+1P H1.5
- HX NANO SIM 7P H1.37
- HX NANO SIM TL6P H1.35
- HX NANO SIM XG6P H1.35
- HX NANO SIM 7P-Ow H1.45
- HX NANO SIM 7P-Iw H1.35
- HX TF-CARD H1.8
- HX TF-CARD-Gold H1.8
- HX TF-CARD H1.8 SY
- HX TF-CARD XG8P H1.5