- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 490mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 470mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 500pC | |
| 输入电容(Ciss) | 32pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.9pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-双N沟道MOSFET-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-具有ESD保护的栅极-完全无铅且完全符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件-符合AEC-Q101高可靠性标准
应用领域
- 功率开关应用
- 电机控制与驱动
- 电池管理
- 不间断电源（UPS）
- ESQ-108-12-T-S
- ESQ-118-12-T-D
- W41080
- W41081
- W41094
- W41099
- W41100
- W41101
- W41104
- W41105
- HX MICRO SIM 6P H1.35
- HX MICRO SIM 7P H1.35
- HX MICRO SIM 6+1P H1.5
- HX MICRO SIM 8+1P H1.5
- HX NANO SIM 7P H1.37
- HX NANO SIM TL6P H1.35
- HX NANO SIM XG6P H1.35
- HX NANO SIM 7P-Iw H1.35
- HX TF-CARD H1.8
- HX TF-CARD H1.8 SY
- HX TF-CARD XG8P H1.5