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12N65F
N沟道增强型MOSFET 耐压:650V 电流:12A
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- 描述
- 特性：快速开关。 低导通电阻。 低栅极电荷。 100%单脉冲雪崩能量测试。应用：适配器和充电器的电源开关电路
- 品牌名称
- XCH(旭昌辉)
- 商品型号
- 12N65F
- 商品编号
- C19184670
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.31克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@10V,6A | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.02nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 170pF |
商品特性
- 专有先进平面技术
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 快速开关速度
- 符合 RoHS 标准
- 可提供无卤产品
应用领域
- 高效开关电源（SMPS）
- 适配器/充电器
- 有源功率因数校正（PFC）