CY7C261-35JC
8Kx8 功率开关和可重编程 PROM
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- CY7C261-35JC
- 商品编号
- C19178382
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 非易失性存储器(ROM) | |
| 存储器构架(格式) | EPROM | |
| 存储容量 | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 功能特性 | - |
商品概述
CY7C261、CY7C263和CY7C264是高性能的8192字×8位CMOS PROM。当未被选中时,7C261自动进入低功耗待机模式。它采用300密耳宽度的封装。7C263和7C264分别采用300密耳和600密耳宽度的封装,在未被选中时不会进入低功耗模式。可重复编程的封装配备有擦除窗口;当暴露在紫外光下时,这些PROM被擦除,然后可以重新编程。存储单元采用成熟的EPROM浮栅技术和字节宽智能编程算法。这些器件具有较低功耗和性能。EPROM单元仅需12.5V的编程电压,其低电流需求支持并行编程。EPROM单元允许对每个存储位置进行100%测试,因为每个位置在封装前都会被写入、擦除并反复测试。每个PROM也经过交流性能测试,以确保在用户编程后产品能满足直流和交流规格限制。通过向CS(低电平有效)引脚施加有效的低电平信号来完成读取操作。由地址线(A0 - A12)寻址的存储单元内容将出现在输出线(O0 - O7)上。
商品特性
- 采用CMOS技术
- 具有窗口,支持可重复编程
- 高速:20纳秒
- 低功耗:660毫瓦
- 超低待机功耗(7C261):当未被选中时低于220毫瓦,快速访问:20纳秒
- 采用EPROM技术,100%可编程
- 提供300密耳或标准600密耳封装
- 工作电压:5V ±10%
- 能够承受大于2001V的静电放电
- 输入/输出与TTL兼容
- 可替代PROM
- CY8CTMA120-56LWXA
- MAX6368PKA44+
- MULL5040-000
- MDF7-9P-2.54DS(96)
- MDF7C-6P-2.54DSA(95)
- SML-LX2832SIC-TR
- 700-023-202-965-045
- 0022035167
- 8861-LT20NE2184
- A4B-12PA-2DS(51)
- FTE-175-03-G-DV
- FTS-136-02-L-DV
- 51
- 4-641202-2
- CY14B104K-ZS25XIT
- ZFTBBBB4931A2ST
- ZFTEL4E1310A1ST
- HPC 6045NV-101M
- 5-644456-3
- AWVH00252010R47TH1
- 701-023-206-965-050

