CY27H010-45ZC
128K x 8高速CMOS EPROM
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- CY27H010-45ZC
- 商品编号
- C19151806
- 商品封装
- TSOPI-32
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 非易失性存储器(ROM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | - |
商品概述
CY27H010 是一款高性能、1兆位 CMOS EPROM,组织为 128 千字节。它采用行业标准的 32 引脚、600 密耳 DIP、LCC、PLCC 和 TSOP-I 封装。这些器件提供高密度存储和 40 MHz 性能。CY27H010 提供窗口式和 opaque 封装。窗口式封装允许器件通过紫外线擦除,实现 100% 可重编程性。CY27H010 配备断电芯片使能(CE)输入和输出使能(OE)。当 CE 取消断言时,器件进入低功耗待机模式。OE 引脚将输出三态化,而不使器件进入待机模式。CE 提供较低功耗,OE 提供更快速的三态输出转换。存储单元采用成熟的 EPROM 浮栅技术和字节宽智能编程算法。EPROM 单元仅需 12.75V 超电压,低编程电流允许群编程。器件允许每个存储位置 100% 测试,因为每个位置在封装前都被写入、擦除和反复操作。每个器件还经过 AC 性能测试,以确保产品在客户编程后满足 DC 和 AC 规格限制。CY27H010 通过断言 CE 和 OE 输入进行读取。由地址输入 A16 至 A0 选择的存储位置内容将出现在输出 O7 至 O0。
商品特性
- CMOS 用于速度/功耗
- 高速度:tAA = 25 ns 最大值(商业级)
- 低功耗:275 mW 最大值;取消选择时小于 85 mW
- 字节宽内存组织
- 在窗口式封装中 100% 可重编程
- EPROM 技术
- 能够承受 >200V 静电放电
- 可用封装:32 引脚 PLCC、32 引脚 TSOP-I、32 引脚 600 密耳塑料或 hermetic DIP、32 引脚 hermetic LCC
- CY7C291L-35WC
- SP-13
- SF2250E-1
- MDF7-12P-2.54DSA(96)
- MDF7-26DP-2.54DSA(96)
- MDF7B-14P-2.54DSA(95)
- MDF7P-5P-2.54DSA(95)
- GPRM-B4C05ZC-3
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- SIT3373AI-2E3-25NZ625.000000

