- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
S34ML02G204TFI010
嵌入式SLC NAND闪存，1Gb、2Gb、4Gb密度，4位ECC，x8和x16 I/O，3V Vcc
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- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- S34ML02G204TFI010
- 商品编号
- C19149439
- 商品封装
- TFSOP-48-18.4mm
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 2.307克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NAND FLASH | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 接口类型 | - | |
| 时钟频率(fc) | - | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 写周期时间(Tw) | - | |
| 页写入时间(Tpp) | 300us |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 块擦除时间(tBE) | 3.5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 待机电流 | - | |
| 擦写寿命 | 10万次 | |
| 功能特性 | 硬件写保护功能；读缓存功能；OTP区域写保护与锁定功能；ECC纠错功能；复制回写功能 | |
| ECC | 有 |
商品特性
- 密度：1 Gbit / 2 Gbit / 4 Gbit
- 架构：输入/输出总线宽度为 8 位/16 位
- 页面大小：
- x8：
- 1 Gbit：(2048 + 64) 字节；64 字节备用区
- 2 Gbit / 4 Gbit：(2048 + 128) 字节；128 字节备用区
- x16：
- 1 Gbit：(1024 + 32) 字；32 字备用区
- 2 Gbit / 4 Gbit：(1024 + 64) 字；64 字备用区
- x8：
- 块大小：64 页
- x8：
- 1 Gbit：128k + 4k 字节
- 2 Gbit / 4 Gbit：128k + 8k 字节
- x16：
- 1 Gbit：64k + 2k 字
- 2 Gbit / 4 Gbit：64k + 4k 字
- x8：
- 平面大小：
- x8：
- 1 Gbit：每个平面 1024 块或 (128M + 4M) 字节
- 2 Gbit：每个平面 1024 块或 (128M + 8M) 字节
- 4 Gbit：每个平面 2048 块或 (256M + 16M) 字节
- x16：
- 1 Gbit：每个平面 1024 块或 (64M + 2M) 字
- 2 Gbit：每个平面 1024 块或 (64M + 4M) 字
- 4 Gbit：每个平面 2048 块或 (128M + 8M) 字
- x8：
- 页面读取/编程：
- 随机访问：25 μs（最大）(S34ML01G2)
- 随机访问：30 μs（最大）(S34ML02G2, S34ML04G2)
- 顺序访问：25 ns（最小）
- 编程时间/多平面编程时间：300 μs（典型）
- 块擦除 (S34ML01G2)：
- 块擦除时间：3 ms（典型）
- 块擦除/多平面擦除 (S34ML02G2, S34ML04G2)：
- 块擦除时间：3.5 ms（典型）