- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
UJ3N120065K3S
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅结型场效应管(JFET) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 114nC |
商品概述
UnitedSiC提供高性能G3碳化硅常开JFET晶体管。该系列具有超低导通电阻（RDS(ON)）和栅极电荷（QG），可实现低传导和开关损耗。该器件在VGS = 0V时具有低RDS(ON)的常开特性，也非常适合无需主动控制的电流保护电路以及共源共栅操作。
商品特性
- 典型导通电阻RDS(on),typ为66mΩ
- 电压控制
- 最高工作温度为175°C
- 极快的开关速度，与温度无关
- 低栅极电荷
- 低固有电容
- 符合RoHS标准
应用领域
过流保护电路、DC - AC逆变器、开关模式电源、功率因数校正模块、电机驱动
- WG6031P00
- SIT3373AI-2E3-25NH223.000000
- SIT3373AI-2E3-25NX240.000000
- SIT3373AI-2E3-28NG222.527472
- SIT3373AI-2E3-28NU614.000000
- SIT3373AI-2E3-33NE540.000000
- SIT3373AI-2E9-25NC622.000000
- SIT3373AI-2E9-25NH445.500000
- SIT3373AI-2E9-25NU270.000000
- SIT3373AI-2E9-25NU614.400000
- SIT3373AI-2E9-25NX250.000000
- SIT3373AI-2E9-25NX312.500000
- SIT3373AI-2E9-28NB491.520000
- SIT3373AI-2E9-28NC256.000000
- SIT3373AI-2E9-28NH222.750000
- SIT3373AI-2E9-28NH364.800000
- SIT3373AI-2E9-28NY540.000000
- SIT3373AI-2E9-30NE224.000000
- SIT3373AI-2E9-30NG224.000000
- SIT3373AI-2E9-33NE256.000000
- SIT3373AI-2E9-33NY540.000000