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S50N10LF
1个N沟道 耐压:100V 电流:50A
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- 描述
- 分裂栅极沟槽MOSFET技术；优异的封装散热性能；高密度单元设计，实现低RDS(ON)
- 品牌名称
- HL(富海微)
- 商品型号
- S50N10LF
- 商品编号
- C19100373
- 商品封装
- PDFN5x6-8L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1365克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V,20A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 22.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.208nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 11.3pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 144pF |
商品概述
NCE6010J采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷下提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
商品特性
- 漏源电压VDS = 60V，漏极电流ID = 10A
- 当栅源电压VGS = 10V时，导通电阻RDS(ON) < 35 mΩ
- 当栅源电压VGS = 4.5V时，导通电阻RDS(ON) < 40 mΩ
- 高密度单元设计，实现极低的导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完整
- 具有高单脉冲雪崩能量EAS，稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的优质封装
- 采用特殊工艺技术，具备高静电放电ESD能力
应用领域
- 电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源