- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 达林顿管 | |
| 类型 | PNP | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 120V | |
| 集电极电流(Ic) | 50A | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 3.5V；2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 1000；400 | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)) | 3V；4.5V | |
| 基极-发射极导通电压(VBE(on)) | - | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ |
商品概述
MJ11032（NPN）和 MJ11033（PNP）是采用 TO-3 型封装的硅互补达林顿晶体管，设计用作通用放大器应用中的输出器件。
商品特性
- 高增益达林顿性能
- 高直流电流增益：在 IC = 25A 时，hFE = 1000（最小值）
- 在 IC = 50A 时，hFE = 400（最小值）
- 单片结构/内置基极 - 发射极并联电阻
- MDF7-19P-2.54DS(95)
- MDF7C-7P-2.54DSA(95)
- 3-641123-6
- SIT3372AI-2E3-33NH74.250000
- SIT3372AI-2E3-33NU77.760000
- SIT3372AI-2E3-33NY77.760000
- SIT3372AI-2E9-25NE148.425787
- SIT3372AI-2E9-25NE161.132810
- SIT3372AI-2E9-25NU125.000000
- SIT3372AI-2E9-25NX100.000000
- SIT3372AI-2E9-25NZ10.240000
- SIT3372AI-2E9-28NB125.000000
- SIT3372AI-2E9-28NE133.516483
- SIT3372AI-2E9-28NG161.132810
- SIT3372AI-2E9-28NX135.000000
- SIT3372AI-2E9-28NY135.000000
- SIT3372AI-2E9-28NY50.000000
- SIT3372AI-2E9-30NX161.132810
- SIT3372AI-2E9-30NZ148.500000
- SIT3372AI-2E9-30NZ161.132810
- SIT3372AI-2E9-33NB153.600000