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TPSI2140QDWQRQ1

具有2mA雪崩额定值的1200V、50mA汽车类隔离开关

关税

描述: 是一款用于高压汽车和工业应用的隔离固态继电器，采用高可靠性电容隔离技术与内部背对背MOSFET结合，形成无需二次侧电源的完全集成解决方案。器件初级侧仅需9 mA输入电流供电，并包含一个故障安全EN引脚，防止VDD电源反向供电。在大多数应用中，器件的VDD引脚应连接到5V-20V的系统电源，EN引脚应由逻辑高电平在2.1V-20V之间的GPIO输出驱动。在其他应用中，VDD和EN引脚可直接由系统电源或GPIO输出共同驱动
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: TPSI2140QDWQRQ1
商品编号: C19089118
商品封装: SOIC-11
包装方式: 编带
商品毛重: 0.571429克(g)

商品参数

商品概述

TPSI2140-Q1 是一款隔离式固态继电器，专为高电压汽车和工业应用而设计。TPSI2140-Q1 整合了 TI 高可靠性的电容隔离技术和内部背对背 MOSFET，形成了一款完全集成式解决方案，无需次级侧电源。该器件的初级侧仅由 9mA 的输入电流供电，并集成了一个失效防护 EN 引脚，可防止对 VDD 电源反向供电的任何可能性。在大多数应用中，器件的 VDD 引脚应连接到 5V 至 20V 的系统电源，并且器件的 EN 引脚应由逻辑高电平介于 2.1V 至 20V 之间的 GPIO 输出驱动。在其他应用中，VDD 和 EN 引脚可直接由系统电源或 GPIO 输出驱动。TPSI2140-Q1 的所有控制配置都不需要光继电器解决方案通常所需的其他外部元件，例如电阻器和/或低侧开关。次级侧包含背对背 MOSFET，从 S1 至 S2 的关断电压为 ±1.2 kV。TPSI2140-Q1 MOSFET 的雪崩稳健性和热敏感封装设计使其能够可靠地支持系统级电介质耐压测试 (HiPot)，并且无需任何外部元件即可承受高达2mA 的直流快速充电器浪涌电流。

商品特性

符合汽车应用要求
AEC-Q100 等级 1:–40℃ 至 125℃，TA
集成雪崩额定 MOSFET
针对过压条件下的可靠性认证进行设计和认证，包括系统级电介质耐压测试 (Hi-Pot)
IAVA = 2mA (5s 脉冲)，1mA (60s 脉冲)
1200V 关断电压
RON = 130Ω (TJ = 25℃)
TON, TOFF < 700μs
低初级侧电源电流
9mA 导通状态电流
3.5 μA 关断状态电流
功能安全型
可帮助进行 ISO 26262 和 IEC 61508 系统设计的文档
稳健可靠的隔离栅
在 1000VRMS/1500VDC 工作电压下预计寿命超过 26 年
隔离额定值 VISO 高达 3750VRMS/5300VDC
峰值浪涌 VIOSM 高达 5000V
± 100 V/ns CMTI（典型值）
SOIC 11 引脚 (DWQ) 封装，具有宽引脚，可提高热性能
爬电距离和间隙 ≥ 8mm（初级-次级）
爬电距离和间隙 ≥ 6mm（开关端子之间）
安全相关认证
（计划）DIN VDE V 0884-11:2017-01
（计划）UL 1577 组件认证计划

应用领域

固态继电器
混合动力、电动和动力传动系统
电池管理系统 (BMS)
能量存储系统 (ESS)
太阳能
车载充电器
电动汽车充电基础设施

	属性	参数值
	商品目录	隔离-固态继电器
	导通电阻(RDS(on))	130Ω
	漏源电压(Vdss)	1.2kV
	CMTI(kV/us)	100kV/us

	属性	参数值
	负载电流	50mA
	总功耗(Pd)	31mW
	工作温度	-40℃~+125℃