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NCE60P82AD

NCE60P82AD

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商品型号
NCE60P82AD
商品编号
C19078366
商品封装
TO-263-2L​
包装方式
编带
商品毛重
2.03克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)82A
导通电阻(RDS(on))-
耗散功率(Pd)150W
阈值电压(Vgs(th))2.4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)62.1nC@10V
输入电容(Ciss)5.604nF
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)356pF

商品概述

先进沟槽工艺技术 采用高密度单元设计,实现超低导通电阻 采用SOT-323表面贴装封装。

商品特性

  • VDS = -60V,ID = -82A
  • 在VGS = -10V时,RDS(ON) < 13mΩ
  • 在VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 16mΩ
  • 高密度单元设计,实现超低Rdson
  • 雪崩电压和电流特性完整
  • 高EAS下稳定性和一致性良好
  • 采用散热性能出色的封装

应用领域

  • 负载开关

数据手册PDF