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STD7NM60N
1个N沟道 耐压:600V 电流:5A
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- 描述
- 这些器件是采用第二代MDmesh™技术实现的N沟道功率MOSFET。它将多漏极工艺的优势应用于意法半导体（STMicroelectronics）著名的PowerMESH™横向布局结构。由此生产的产品具有更低的导通电阻、较低的栅极电荷、高dv/dt能力和出色的雪崩特性
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STD7NM60N
- 商品编号
- C200450
- 商品封装
- TO-252(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.475克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 900mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 363pF | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
这些器件是采用第二代MDmesh技术实现的N沟道功率MOSFET。它将多漏极工艺的优势应用于知名的PowerMESH横向布局结构。由此产生的产品具有更低的导通电阻、低栅极电荷、高dv/dt能力和出色的雪崩特性。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 低输入电容和栅极电荷
- 低栅极输入电阻
应用领域
- 开关应用
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