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DH045N04P
1个N沟道 耐压:40V 电流:80A
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- 品牌名称
- WXDH(东海半导体)
- 商品型号
- DH045N04P
- 商品编号
- C18716371
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.165克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@4.5V,30A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 栅源电压（VGS）为 -4.5V、漏极电流（ID）为 -3.1A 时，导通电阻（RDS(ON)）<100mΩ
- 栅源电压（VGS）为 -2.5V、漏极电流（ID）为 -2.0A 时，导通电阻（RDS(ON)）<135mΩ
- 栅源电压（VGS）为 -1.8V、漏极电流（ID）为 -1.1A 时，导通电阻（RDS(ON)）<190mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、脉宽调制（PWM）应用等特殊设计
- 符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品
- 符合 IEC61249 标准的绿色模塑料（无卤素）