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DH025N03P
1个N沟道 耐压:30V 电流:120A
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- 品牌名称
- WXDH(东海半导体)
- 商品型号
- DH025N03P
- 商品编号
- C18716368
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.165克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@4.5V,50A | |
| 耗散功率(Pd) | 104W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 88nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 561pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.795nF |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 620 mΩ（典型值）
- 栅极开关易于控制
- 增强模式：Vth = 2.8 至 4.2 V
应用领域
- 单端反激或双晶体管正激拓扑-电脑电源、PD 适配器、液晶与等离子电视及 LED 照明