RC65D270G
RC65D270G
描述
氮化镓场效应管
- 品牌名称RealChip(正芯半导体)
商品型号
RC65D270G商品编号
C18547816商品封装
DFN-8L(8x8)包装方式
编带
商品毛重
0.245克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
沟道类型 | 1个N沟道 | |
技术路线 | - | |
漏源击穿电压(Vds) | 650V | |
连续漏极电流(Id) | 7.9A | |
耗散功率(Pd) | 32W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V | |
栅极电荷量(Qg) | 7.2nC | |
输入电容(Ciss) | 243pF | |
反向传输电容(Crss) | 0.8pF | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ |
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