RC65E300Y
RC65E300Y
描述
氮化镓场效应管
- 品牌名称RealChip(正芯半导体)
商品型号
RC65E300Y商品编号
C18547814商品封装
DFN-8L(5x6)包装方式
编带
商品毛重
0.098克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 氮化镓晶体管(GaN HEMT) | |
沟道类型 | - | |
技术路线 | - | |
漏源击穿电压(Vds) | 650V | |
连续漏极电流(Id) | 8A | |
耗散功率(Pd) | 38W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
栅极电荷量(Qg) | 1.35nC | |
输入电容(Ciss) | 46pF | |
反向传输电容(Crss) | 0.7pF | |
工作温度 | -55℃~+175℃ | |
导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ |
梯度价格
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