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RC65E300Y

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属性参数值
商品目录氮化镓晶体管(GaN HEMT)
沟道类型-
技术路线-
Vds-漏源击穿电压650V
Id-漏极电流(25℃)8A
Pd-功耗38W
Vgs(th)-阈值电压2.5V
RDS(on)-导通电阻(10V)-
属性参数值
RDS(on)-导通电阻(8V)-
RDS(on)-导通电阻(6V)300mΩ
RDS(on)-导通电阻(4.5V)-
RDS(on)-导通电阻(2.5V)-
Qg-栅极电荷1.35nC
Ciss-输入电容46pF
Crss-反向传输电容0.7pF
工作温度-55℃~+175℃

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