HMC8412LP2FETR

HMC8412是一款砷化镓（GaAs）单片微波集成电路（MMIC），采用赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）技术的低噪声宽带放大器，工作频率范围为0.4 GHz至11 GHz。 HMC8412典型增益为15.5 dB，典型噪声系数为1.4 dB，典型输出三阶截点（OIP3）≤ 33 dBm，漏极电源电压为5 V时仅需60 mA电流。典型饱和输出功率（P_SAT）≤ 20.5 dBm，使该低噪声放大器（LNA）可作为许多平衡、同相和正交（I/Q）或镜像抑制混频器的本地振荡器（LO）驱动器。 HMC8412还具备内部匹配至50 Ω的输入和输出端口，非常适合基于表面贴装技术（SMT）的高容量微波无线电应用。 HMC8412采用符合RoHS标准的2 mm×2 mm、6引脚LFCSP封装。

• 低噪声系数：典型值1.4 dB
• 单正电源（自偏置）
• 高增益：典型值≤ 15.5 dB
• 高OIP3：典型值≤ 33 dBm
• 符合RoHS标准的2 mm×2 mm、6引脚LFCSP封装

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• 电信