MMBZ33VALT1G

这些双片式齐纳二极管专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备，如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。其双结共阳极设计仅用一个封装即可保护两条独立线路。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。

• SOT−23封装，可实现两种独立的单向配置或单一的双向配置
• 工作峰值反向电压范围：3 V至26 V
• 标准齐纳击穿电压范围：5.6 V至47 V
• 峰值功率：在1.0 ms时为24 W或40 W（单向），见图6波形
• 静电放电等级：人体模型3B级（>16 kV）；机器模型C级（>400 V）
• IEC61000−4−2 4级静电放电等级，±30 kV接触放电
• 峰值脉冲电流下的最大钳位电压
• 低漏电流<5.0 μA
• 阻燃等级UL 94 V - 0
• 汽车及其他需要独特产地和控制变更要求的应用采用SZ前缀；符合AEC−Q101标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力
• 这些器件无铅且符合RoHS标准

• 计算机
• 打印机
• 商用机器
• 通信系统
• 医疗设备