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2EDF9275FXUMA1

结合 CoolSiC、CoolMOS 和 EiceDRIVER，用于工业应用中的节能型开关电源（SMPS）设计

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描述: 电信、数据中心和工业开关电源（SMPS）的发展受到能源效率提升、高功率密度和不断增长的输出功率等趋势的推动。宽带隙材料，如CoolSiC™ 650 V MOSFET和CoolGaN™ 600 V增强型高电子迁移率晶体管（e-mode HEMT），有助于实现高性能拓扑结构，如连续导通模式（CCM）图腾柱功率因数校正（PFC）。这种拓扑结构可确保PFC级效率达到99%，使系统整体效率达到98%，且每个开关周期都会出现硬开关换相
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: 2EDF9275FXUMA1
商品编号: C1870161
商品封装: SOIC-16
包装方式: 编带
商品毛重: 0.2克(g)

商品参数

商品概述

电信、数据中心和工业开关电源（SMPS）受能源效率提升、高功率密度和不断增长的输出功率等趋势的推动。宽带隙材料，如CoolSiC™ 650 V MOSFET和CoolGaN™ 600 V增强型高电子迁移率晶体管（e-mode HEMT），有助于实现CCM图腾柱PFC等高性能拓扑。这种拓扑可确保功率因数校正（PFC）阶段的效率达到99%，使系统整体效率达到98%，且每个开关周期都会出现硬换相。虽然CoolGaN™在最高工作频率下能实现最佳效率，但CoolSiC™ MOSFET在高效率、可靠性和易用性之间实现了良好平衡。

商品特性

CoolSiC™ 650 V：
- 大电流下的开关性能优化
- 出色的热性能
- 雪崩能力增强
- 与超结（SJ）MOSFET相比，反向恢复电荷（Qrr）和输出电容电荷（Qoss）降低80%
600 V CoolMOS™ S7：
- 贴片（SMD）封装中具有同类最佳的导通电阻（RDS(on)）
- 针对低频开关拓扑的导通性能进行优化
EiceDRIVER™：
- 具有13 V的欠压锁定（UVLO）关断阈值，确保安全工作区
- 输出级阻抗为0.35 / 0.85 Ω
- 传播延迟精度为± 7 ns

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	栅极驱动芯片
	驱动配置	-
	负载类型	MOSFET
	驱动通道数	2
	灌电流(IOL)	-
	拉电流(IOH)	4A

	属性	参数值
	工作电压	-
	上升时间(tr)	6.5ns
	下降时间(tf)	4.5ns
	特性	-
	工作温度	-