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SFS06R02GF
SFS06R02GF
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- 商品型号
- SFS06R02GF
- 商品编号
- C18213535
- 商品封装
- PDFN(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.21918克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 132W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 103.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.649nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 59.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.281nF |
商品概述
FSMOS MOSFET基于独特的器件设计，实现了低漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。低阈值电压（Vth）系列专为低驱动电压的同步整流电源系统设计。
商品特性
- 低RDS(ON)和品质因数(FOM)
- 极低的开关损耗
- 出色的可靠性和一致性
- 快速开关和软恢复
应用领域
-PD充电器-电机驱动器-开关稳压器-DC-DC转换器-开关模式电源
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