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CMD3N90A
1个N沟道 耐压:900V 电流:3A
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- 描述
- 3N90A采用先进的平面条形DMOS技术和设计，以提供出色的RDS(ON)。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD3N90A
- 商品编号
- C18198748
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.376克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 900V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.9Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 40pF |
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